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삼성전자, 세계 최초 HBM4 양산 출하…"업계 최고 성능"	2026-02-12 15:52
삼성전자가 세계 최초로 6세대 고대역폭메모리, HBM4를 양산 출하하며 차세대 AI 메모리 시장 선점에 나섰습니다. 삼성전자가 업계 최고 성능의 HBM4를 세계 최초로 양산 출하했다고 오늘(12일) 밝혔습니다. 개발 초기 단계부터 국제반도체표준협의기구인 JEDEC 기준을 웃도는 성능을 목표로 설정하고, 10나노급 6세대 '1c D램'과 파운드리 4나노 공정을 적용해 양산 초기부터 안정적인 수율과 성능을 확보했다는 설명입니다. 삼성전자 HBM4는 JEDEC 표준(8Gbps) 대비 약 46% 높은 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보했습니다. 최대 13Gbps까지 구현이 가능해, 전작 HBM3E(9.6Gbps) 대비 약 1.22배 향상된 성능입니다. 단일 스택 기준 메모리 대역폭은 최대 3.3TB/s로, HBM3E 대비 약 2.7배 개선됐습니다. 이는 AI 모델 고도화에 따른 데이터 병목 현상을 완화할 수 있는 수준이라는 설명입니다. 용량은 12단 적층 기준 36GB, 향후 16단 적층 기술을 적용하면 최대 48GB까지 확장할 계획입니다. 아울러 I/O(Input/Output) 핀 수가 기존 1,024개에서 2,048개로 늘어나면서 발생하는 전력·발열 문제를 해결하기 위해 코어 다이에 저전력 설계를 적용했습니다. 또한 TSV 저전압 설계와 전력 분배 네트워크(PDN) 최적화를 통해 전 세대 대비 에너지 효율을 약 40% 개선했고, 열 저항 특성은 10%, 방열 특성은 30% 향상시켰습니다. 이에 따라 GPU 연산 성능을 극대화하면서도 서버 및 데이터센터 단위의 전력·냉각 비용 절감 효과가 기대된다는 게 사측의 설명입니다. 삼성전자는 특히 로직·메모리·파운드리·패키징을 아우르는 IDM(종합반도체기업) 구조를 강점으로 내세웠습니다. 자체 파운드리 공정과 HBM 설계 간 DTCO 협업을 통해 수율과 품질을 동시에 확보하겠다는 전략입니다. 또 선단 패키징 역량과 클린룸 인프라를 기반으로 생산 리드타임을 단축하고, 수요 확대 시에도 유연하게 대응할 수 있는 체제를 구축했다고 강조했습니다. 삼성전자는 올해 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 전망하고 있으며, 평택 2단지 5라인을 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용할 계획입니다. 삼성전자는 올해 하반기 HBM4E 샘플 출하, 2027년에는 고객 맞춤형 Custom HBM 샘플링에 돌입할 예정입니다. Custom HBM은 AI 가속기·GPU 아키텍처에 맞춰 용량·속도·전력 특성을 최적화한 제품으로, 하이퍼스케일러와 차세대 ASIC 고객을 겨냥한 전략 제품입니다. 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 "삼성전자 HBM4는 기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램 및 Foundry 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다"며, "공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써, 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다"고 말했습니다. 삼성전자 관계자는 "HBM4 양산 과정에서 확보한 1c 공정 기반의 품질과 공급 안정성은 향후 HBM4E 및 Custom HBM 등 고부가 제품으로의 전환 과정에서도 중요한 경쟁 요소가 될 것으로 기대된다"고 설명했습니다. [조문경 기자 / sally3923@mk.co.kr]

삼성전자, 세계 최초 HBM4 양산 출하…"업계 최고 성능"

2026-02-12 15:52

삼성전자가 세계 최초로 6세대 고대역폭메모리, HBM4를 양산 출하하며 차세대 AI 메모리 시장 선점에 나섰습니다.

삼성전자가 업계 최고 성능의 HBM4를 세계 최초로 양산 출하했다고 오늘(12일) 밝혔습니다.

개발 초기 단계부터 국제반도체표준협의기구인 JEDEC 기준을 웃도는 성능을 목표로 설정하고, 10나노급 6세대 '1c D램'과 파운드리 4나노 공정을 적용해 양산 초기부터 안정적인 수율과 성능을 확보했다는 설명입니다.

삼성전자 HBM4는 JEDEC 표준(8Gbps) 대비 약 46% 높은 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보했습니다.

최대 13Gbps까지 구현이 가능해, 전작 HBM3E(9.6Gbps) 대비 약 1.22배 향상된 성능입니다.

단일 스택 기준 메모리 대역폭은 최대 3.3TB/s로, HBM3E 대비 약 2.7배 개선됐습니다.

이는 AI 모델 고도화에 따른 데이터 병목 현상을 완화할 수 있는 수준이라는 설명입니다.

용량은 12단 적층 기준 36GB, 향후 16단 적층 기술을 적용하면 최대 48GB까지 확장할 계획입니다.

아울러 I/O(Input/Output) 핀 수가 기존 1,024개에서 2,048개로 늘어나면서 발생하는 전력·발열 문제를 해결하기 위해 코어 다이에 저전력 설계를 적용했습니다.

또한 TSV 저전압 설계와 전력 분배 네트워크(PDN) 최적화를 통해 전 세대 대비 에너지 효율을 약 40% 개선했고, 열 저항 특성은 10%, 방열 특성은 30% 향상시켰습니다.

이에 따라 GPU 연산 성능을 극대화하면서도 서버 및 데이터센터 단위의 전력·냉각 비용 절감 효과가 기대된다는 게 사측의 설명입니다.

삼성전자는 특히 로직·메모리·파운드리·패키징을 아우르는 IDM(종합반도체기업) 구조를 강점으로 내세웠습니다.

자체 파운드리 공정과 HBM 설계 간 DTCO 협업을 통해 수율과 품질을 동시에 확보하겠다는 전략입니다.

또 선단 패키징 역량과 클린룸 인프라를 기반으로 생산 리드타임을 단축하고, 수요 확대 시에도 유연하게 대응할 수 있는 체제를 구축했다고 강조했습니다.

삼성전자는 올해 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 전망하고 있으며, 평택 2단지 5라인을 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용할 계획입니다.

삼성전자는 올해 하반기 HBM4E 샘플 출하, 2027년에는 고객 맞춤형 Custom HBM 샘플링에 돌입할 예정입니다.

Custom HBM은 AI 가속기·GPU 아키텍처에 맞춰 용량·속도·전력 특성을 최적화한 제품으로, 하이퍼스케일러와 차세대 ASIC 고객을 겨냥한 전략 제품입니다.

황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 "삼성전자 HBM4는 기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램 및 Foundry 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다"며, "공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써, 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다"고 말했습니다.

삼성전자 관계자는 "HBM4 양산 과정에서 확보한 1c 공정 기반의 품질과 공급 안정성은 향후 HBM4E 및 Custom HBM 등 고부가 제품으로의 전환 과정에서도 중요한 경쟁 요소가 될 것으로 기대된다"고 설명했습니다.

[조문경 기자 / sally3923@mk.co.kr]